|
|
Детектор XFlash
SDD кремниевый дрейфовый детектор XFlash©.
Полупроводниковые энергодисперсионные детекторы для элементного анализа от бериллия (4) до америция (95).
Детектор XFlash© является энергодисперсионным детектором рентгеновского излучения (рис.1), работающим по принципу кремниевой дрейфовой камеры (SDD). Основным регистрирующим элементом детектора данного типа является кремниевый чип особой конструкции, не содержащий Li ("дрейф" в данном контексте относится к подвижности носителей заряда). Внутри чипа создаётся воронкообразный потенциал электрического поля, и эмиссионные фотоэлектроны по "воронке" дрейфуют к аноду.
Особая конструкция чипа со встроенным полевым транзистором (FET) и малые размеры анода впервые позволяет достигать энергетического разрешения 123 эВ на линии MnKα, что превосходит лучшие энергодисперсионные детекторы рентгеновского излучения (рис.2). Низкая емкость чипа обуславливает очень короткое время формирования импульса, позволяющее детектору работать с высокой скоростью счета (до 750 000 имп/с).
 Рис.2.
Поперечное сечение чипа
кремниевого дрейфового
детектора (SDD)
Методика обработки сигнала была специально разработана и оптимизирована для детекторов SDD. Благодаря гибридному аналого-цифровому процессору SDD кремниевый дрейфовый детектор XFlash© стабильно поддерживает высокое разрешение в 123 эВ даже при скорости счета в 100 000 имп/с на линии MnKα (рис.3).
Кристалл детектора умеренно охлаждается до температуры -25оС с помощью термоэлектрических охладителей, не создающих вибраций. Все вырабатываемое тепло рассеивается посредством пассивной конвекции. Дополнительное охлаждение не требуется.
 Рис.3.
Сравнение детектора XFlash©
с другими SDD детекторами.
Энергетическое разрешение
в зависимости от скорости
счета импульсов
на линии Mn K
- Не имеющее себе равных среди других энергодисперсионных детекторов энергетическое разрешение 123 эВ при скорости счета 100 000 имп/с на линии MnKα.
- Уникальная возможность регистрации излучения легких элементов от Be до Na при использовании полимерного входного окна.
- Максимальная скорость счета до 750 000 имп/с.
- Быстродействие в 10 раз выше по сравнению с Si(Li) детекторами.
- Размер чипа – 10, 30 или 40 мм2.
|
